sulatedsistor）是一种功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电阻。IG *** 在现代电力电子应用中得到广泛应用，如变频器、电力传动、电动汽车、太阳能逆变器等领域。
IG *** 的基本结构是一个PN结和一个MOSFET，组成了一个三端器件。在PN结的控制下，MOSFET的导通电阻可以被控制，实现了高电压、大电流的控制。IG *** 的控制极是一个MOSFET，其导通电阻非常小，可以提供高速的开关速度。PN结则负责承受高电压。
IG *** 的工作原理是在控制极加正电压时，控制极与源极之间形成了一个电场，将PN结中的电子注入到N区，从而使PN结导通。当控制极加负电压时，PN结截止，IG *** 不导通。在导通状态下，IG *** 的导通电阻非常小，可以承受高电流。在截止状态下，IG *** 的电阻非常大，几乎不导电。
IG *** 的特点是具有MOSFET的高输入阻抗，BJT的低导通电阻，以及大电流承受能力和高电压承受能力。IG *** 可以实现高速开关，同时也可以承受高频率的工作。IG *** 的应用领域非常广泛，是现代电力电子应用中必不可少的器件之一。
总之，IG *** 是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点，具有高速开关、大电流承受能力和高电压承受能力等特点，是现代电力电子应用中广泛应用的器件之一。
sulatedsistorsistoriconductorsistor）基础上发展起来的一种新型器件。IG *** 结构上具有MOSFET的优点，即控制电流的栅极与主电流的承载区域完全隔离，而且还具有BPT的优点，即主电流的承载能力强，耐压能力高，从而使其在高电压、高电流的电力电子应用领域中得到广泛应用。
IG *** 的基本原理是由NPN型双极型晶体管和PNP型双极型晶体管组成的结构，其中NPN型双极型晶体管为主电流承载部分，PNP型双极型晶体管为控制电流的栅极部分。在正向偏置下，NPN型双极型晶体管的电子向PNP型双极型晶体管的空穴扩散，从而使PNP型双极型晶体管中的空穴被注入NPN型双极型晶体管中，形成电流。此时，如果在PNP型双极型晶体管的栅极上加上正电压，就可以使其内部形成一定的电场，从而控制电流的大小和方向。
IG *** 的主要特点是具有较高的开关速度、低的导通电阻、较高的耐压能力和良好的阻断特性。IG *** 的应用范围非常广泛，如电力电子、电机驱动、UPS电源、太阳能、风能、轨道交通等领域。在电力电子领域中，IG *** 已经成为了大功率电子器件的主流。
